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赫尔纳供应美国Xsis晶体振荡器CR55/U

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公司简介：

XSIS电子公司成立于1978年4月n。在XIS,我们门设计和制造晶体振荡器和晶体单位,用于空间,工业,电信和超高温井下应用。

Xsis晶体振荡器主要产品：

Xsis晶体振荡器

Xsis晶体振荡器产品型号：

CR55/U ,  CR60/U ,  CR61/U ,  CR64/U ,  CR67/U ,  CR69/U

Xsis晶体振荡器产品特点：

包装：90%Al2O3陶瓷，

密封：密封-抗气密性

焊接重量：0.15Gms

典型，0.2Gms.

热阻，连接到外壳(0C)：38 C/瓦特焊料回流

温度/时间：260°℃大值为10秒。

赫尔纳供应美国Xsis晶体振荡器CR55/U产品应用：

Xsis晶体振荡器温晶体振荡器XIS电子提供高晶体振荡器在高温应用。XIS电子公司设计并加工了这些振荡器,以便在-55℃至230℃的扩展温度范围内工作。高温材料和经过验证的工艺被用来在温度下提供。

Xsis晶体振荡器用于老化的 PDA: 除非另有说明，用于老化的 PDA 应为2% 或1个振荡器，以大者为准，适用于 + 23 °C 至 + 25 °C 的静态测试。此外，台达计算应在老化后执行，并应计入 PDA。Xsis晶体振荡器测量值的三角洲计算应记录。超过规定的增量限值的部件将被拒绝并计入 PDA。

XIS电子制造的高温晶体振荡器是为高温和环境的应用而设计的,如,井下钻井测量,喷气发动机传感器,高温航空电子学,高温耦合高冲击和振动等。通过使用内部有工艺制造的精密石英晶体,在41年以上的军事(QLS)和空间应用晶体振荡器制造经验中开发和改进,实现了的良好频率老化特性。在操作温度范围内100%测试振荡器。

Xsis晶体振荡器总剂量辐射: 按照 MIL-STD-883方法1019，混合微电路晶体振荡器在暴露于100克拉德的吸收剂量辐射后，应能第3.6段的电气特性。包装: 陶瓷，90% 分钟。AL2O3.，重量: 0.4 Gms 大。热阻，θJC: 40 oC/瓦。完成: 1.27微米小镀金镍板。用 Sn60/Pb40钎料 perMIL-PRF-55310进行热钎料镀锡是可选的，但需要额外的成本。回流焊接: 在260 °C 下回流焊接10秒钟不会降低性能。3.3密封性: Xsis晶体振荡器电阻焊接，密封，泄漏率1(10)-8 atm-cc/s 大。3.4标记: 零件至少应标记 Xsis P/N、 Xsis 笼代码、 ESD 符号、日期代码和序列号。3.5大额定值: 除非另有规定，大额定值应如下: 电源电压 -0.5至 + 4.5 VDCOperating 空气温度范围 -55 oC 至 + 125 oC 储存温度 -55 oC 至 + 125 oC3.6Xsis晶体振荡器电气特性: 见表 I3.7杂化元素: 3.7.1石英晶体: 应使用高级培养石英晶体。作为一种选择，Xsis 将使用额外收费的优质 Q 扫频石英晶体。Xsis晶体振荡器晶体元件的评估应符合 MIL-PRF-55310。3.7.2水晶安装: 水晶元件应安装在4点，以便在本文规定的环境下提供足的坚固性和性能。3.7.3被动元件: 建立可靠性(ER) QPL 元件，应使用 R 小故障，或根据 MIL-PRF-55310，S 级，或 MIL-PRF-38534，附录 C，K 级适用的元件批量评估。3.7.4微电路模具应来自通过 MIL-PRF-38534级 K 级元件评定的批次。Xsis晶体振荡器此外，电离辐射测试应在本文第3.7.5段解释的振荡器水平上进行。